Перевод: с английского на все языки

со всех языков на английский

polysilicon charge-coupled device

См. также в других словарях:

  • Charge-coupled device — A specially developed CCD used for ultraviolet imaging in a wire bonded package. A charge coupled device (CCD) is a device for the movement of electrical charge, usually from within the device to an area where the charge can be manipulated, for… …   Wikipedia

  • polysilicon-gate charge-coupled device — krūvio sąsajos įtaisas su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate charge coupled device vok. ladungsgekoppeltes Poly Si Gate Bauelement, n rus. прибор с зарядовой связью с… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most …   Wikipedia

  • dispositif à couplage de charge à grilles en polysilicium — krūvio sąsajos įtaisas su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate charge coupled device vok. ladungsgekoppeltes Poly Si Gate Bauelement, n rus. прибор с зарядовой связью с… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Michael Francis Tompsett — is a British born physicist and former researcher at English Electric Valve Company, [1] who later moved to Bell Labs in America. He is best known as the inventor of Charge Coupled Device (CCD) Imagers used for imaging in devices such as digital… …   Wikipedia

  • krūvio sąsajos įtaisas su polikristalinio silicio užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate charge coupled device vok. ladungsgekoppeltes Poly Si Gate Bauelement, n rus. прибор с зарядовой связью с поликристаллическим кремниевым затвором, m pranc. dispositif à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ladungsgekoppeltes Poly-Si-Gate-Bauelement — krūvio sąsajos įtaisas su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate charge coupled device vok. ladungsgekoppeltes Poly Si Gate Bauelement, n rus. прибор с зарядовой связью с… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • прибор с зарядовой связью с поликристаллическим кремниевым затвором — krūvio sąsajos įtaisas su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate charge coupled device vok. ladungsgekoppeltes Poly Si Gate Bauelement, n rus. прибор с зарядовой связью с… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Solar cell — A solar cell made from a monocrystalline silicon wafer …   Wikipedia

  • CMOS — For other uses, see CMOS (disambiguation). CMOS inverter (NOT logic gate) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) (   …   Wikipedia

  • Organic light-emitting diode — Demonstration of a flexible OLED device A green emitting OLED device An …   Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»